ترانزیستورهای دوقطبی (Heterojunction (HBT در برنامه های پرسرعت و RF کاربرد وسیع و گسترده ای دارند. اولین HBT تجاری از جنس ماده بود . محدوده ترانزیستور مدرن HBT ، وسیع بوده و جذاب ترین آنها برای کاربرد RF عبارتنداز: ، و …

فناوری سیلیکون- ژرمانیوم (SiGe) نیرومی محرکه ای برای تولید دستگاههای ارتباط شخصی کم وزن کم هزینه مانند هندست های بی سیم دیجیتالی، و سایر فناوریهای اطلاعاتی و سرگرمی مانند باکس های set- top دیجیتالی، DBS ، سیستم های جلوگیری از تصادم و برخورد اتومبیل، و دستگاههای کمکی دیجیتالی شخصی به شمار می رود. SiGe طول عمر باتری های تلفن بی سیم را افزایش داده و موجب تولید دستگاههای ارتباطی کوچکتر و بادوام تر می شود. مرکز یا بطن فناوری SiGe ، را ترانزیستور HBT تشکیل می دهد. یکی دیگر از محاسن فناوری SiGe ، قابلیت یکپارچگی در مدارهای CMOS ، و تولید مدارهای مجتمع با عملکرد بالا و ارزان BiCMOS می باشد.

ETEROJUNCTION bipolar transistors (HBTs) are widely used for the RF and high speed applications. First commercial HBT was made of AlGaAs/GaAs material and that composed material was used very often earlier. The range of modern HBT transistor is wide and the most attractive for RF application are SiGe/Si HBT, InGaAs/InP HBT, InGaP/GaAs HBT, etc Silicon-Germanium (SiGe) technology is the driving force behind the explosion in low-cost, lightweight, personal communications devices like digital wireless handsets, as well as other entertainment and information technologies like digital set-top boxes, Direct Broadcast Satellite (DBS), automobile collision avoidance systems, and personal digital assistants. SiGe extends the life of wireless phone batteries, and allows smaller and more durable communication devices. The heart of SiGe technology is a SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT). Another advantage of SiGe technology is the capability to be integrated in CMOS circuits, enabling production of cheap highperformance BiCMOS integrated circuits.