منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین برای رژیم با طول گیت ۲۰ نانومتر

Complementary silicide source/drain thin-body MOSFETs for the 20nm gate length regime

مجله  آی تریپل ای – IEEE

سال ۲۰۰۰

چکیده

تنها [۱] و [۲] گیت ترانزیستور بدنه نازک نوید طرح دستگاه برای رژیم با طول گیت ۵-۵۰ مانومتر است. یکی از چالش های عمده ، مقاومت زیادی لایه بدنه نازک است. در این مقاله ما یک روش برای کاهش این مقاومت با استفاده از دو مانع منبع سیلیسید / درین : PtSi for PMOS ، و ErSi1.7 for NMOS است، شکل ۱٫ در مطالعات قبلی، منبع سیلیسید / MOSFET [3] جریان نشتی بزرگ به نمایش گذاشته اند. استفاده ما از بدنه نازک باعث کاهش نشت می شود. این رابطه همزیستی بین سرکوب نشت توسط ساختار بدنه نازک و مقاومت از نتایج ساختار ظرفیتی منبع سیلیکون / درین در یک فن آوری دستگاه است که می تواند طول گیت ۱۵نانومتر کوچک شود. همچنین یک جایگزین برای رویکرد منبع / درین بالا به عنوان یک روش کلی برای کاهش مقاومت از طرح های بدنه نازک فراهم می کند.

Abstract

The single[1] and double[2] gate thin-body transistors are promising device designs for the 5-50nm gate-length regime. One of their major challenges is the large series resistance of the thin body layer. In this paper we present a method for reducing this resistance with the use of dual low-barrier silicide source/drains: PtSi for PMOS, and ErSi1.7 for NMOS, Fig. 1. In previous studies, bulk-Si silicide source/drain MOSFETs[3] have exhibited large leakage currents. Our use of a thin body reduces leakage by orders of magnitude. This symbiotic relationship between leakage suppression by the thin-body structure and the low series resistance of the silicide source/drain structure results in a promising device technology that can be scaled down to 15nm gate-length. It also provides an alternative to the elevated source/drain approach as a general method for reducing series resistance of thin-body designs.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه آماده ورد