مقاله انگلیسی آشکار کننده اسپایک نورونی جریانی با منبع ۱V به همراه سیستم تخمین زننده با ترجمه فارسی – IEEE 2015

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی PDF + خرید ترجمه آماده و تایپ شده ورد

 

مشخصات مقاله انگلیسی به همراه ترجمه فارسی
عنوان فارسی مقاله

یک آشکار کننده اسپایک نورونی جریانی با منبع ۱V به همراه سیستم تخمین زننده احتمال شناسایی تکنولوژی CMOS (سیماس) ۶۵ نانومتری

عنوان انگلیسی مقاله

A 1 V, Compact, Current-Mode Neural Spike Detector with Detection Probability Estimator in 65 nm CMOS

چاپ شده در

مجله  آی تریپل ای – IEEE

سال انتشار

سال ۲۰۱۵

 

قسمتی از متن مقاله
بخشی از ترجمه فارسی

چکیده

در این مقاله، ما یک مدار اشکارساز اسپایک را با توان مصرفی کم برای سیستم های ضبط سیگنال نورونی در جایی که عملکرد سیگنال های نورونی یا بیوزیستی موردتوجه هستند، ارائه میکنیم. این چنین سیستمی می تواند فشرده سازی داده ها را به مقدار زیادی توسط انتقال های بی سیمی فراهم کند. این طراحی با استفاده از تولیدکننده انرژی غیرخطی عمل میکند که توسط بلوک های انالوگ مدجریانی با توان مصرفی کم پیاده سازی شده است. برای کاهش حساسیت تنظیم استانه، در این کار از یک اسیلاتور مد جریانی بر پایه تخمین زننده احتمال شناسایی اسپایک برای حذف مثبت های نادرست بر اثر نویز، استفاده میکنیم. این مدار در تکنولوژی CMOS (سیماس) ۶۵ نانومتری به کار گرفته شده و ۲۰۰um در ۱۵۰um حجم اشغال میکند. در آن از منبع جریان یک ولت استفاده شده و ۸۸nW توان استاتیک و ۱۰nj توان دینامیک برای هر اسپایک ورودی مصرف شده است.

بخشی از متن انگلیسی

Abstract

In this paper, we describe a novel low power, compact, current-mode spike detector circuit for real-time neural recording systems where neural spikes or action potentials (AP) are of interest. Such a circuit can enable massive compression of data facilitating wireless transmission. This design operates by approximating the popularly used nonlinear energy operator (NEO) through standard current mode analog blocks that can operate at low voltages. To reduce sensitivity of threshold setting, this work uses a current-mode oscillator based detection probability estimator (DPE) to reject false positives caused by the background noise. The circuit is implemented in a 65 nm CMOS process and occupies 200 µm x 150 µm of chip area. Operating from a 1 V power supply, it consumes about 88 nW of static power and 10 nJ of dynamic energy per input spike.

 

باکس دانلود مقاله
دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه آماده به صورت تایپ شده با فرمت ورد doc

خرید ترجمه آماده ورد

 

 

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *